深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations正式發(fā)布其InnoMux&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;-2系列新成員--一款1700V額定耐壓的氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)IC，該產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)獨(dú)樹(shù)一幟，以其1700V的耐壓能力刷新了氮化鎵器件的新高度，進(jìn)一步鞏固了PI在高壓功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，這款新產(chǎn)品不僅在性能和效率上具有優(yōu)勢(shì)，同時(shí)在價(jià)格方面也優(yōu)于現(xiàn)有的碳化硅（SiC）器件。PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理閻金光在發(fā)布會(huì)上對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)解讀。InnoMux-2 IC：多路輸出與高效率的完美結(jié)合這款1700V 氮化鎵 InnoMux-2 IC基于PI的專(zhuān)有Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在1000VDC母線(xiàn)電壓下超過(guò)90%的轉(zhuǎn)換效率。這得益于InnoMux&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;-2 IC的單極、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線(xiàn)式電源功能，無(wú)需后級(jí)穩(wěn)壓器即可精確調(diào)整輸出電壓，達(dá)到了每路1%以?xún)?nèi)的精度控制。這種設(shè)計(jì)在提供高達(dá)70W功率的同時(shí)，進(jìn)一步提升了整體電源系統(tǒng)的效率，使其在反激轉(zhuǎn)換架構(gòu)下展現(xiàn)出前所未有的性能。另外為應(yīng)對(duì)更高的母線(xiàn)電壓的使用需求，InnoMux-2采用了F封裝設(shè)計(jì)，爬電間距更大，從而增加整個(gè)電源的可靠性。

這款I(lǐng)C適用于多種電壓供電需求的場(chǎng)景，如汽車(chē)充電器、太陽(yáng)能逆變器、三相電表及各類(lèi)工業(yè)電源系統(tǒng)。與傳統(tǒng)的碳化硅（SiC）相比，1700V的氮化鎵器件具備顯著的成本優(yōu)勢(shì)，是應(yīng)對(duì)高壓電源應(yīng)用挑戰(zhàn)的理想解決方案。領(lǐng)先之道：多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新助力PI的成功不僅僅是Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;技術(shù)在材料層面的創(chuàng)新，還在于其對(duì)電路設(shè)計(jì)的全面革新。InnoMux-2 IC在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了三項(xiàng)重要突破。首先，獨(dú)立、精確的多路輸出調(diào)整技術(shù)優(yōu)化了系統(tǒng)負(fù)載響應(yīng)，無(wú)需后級(jí)穩(wěn)壓便能實(shí)現(xiàn)高精度控制。其次，集成了PI的FluxLink&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;數(shù)字隔離通信技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了次級(jí)側(cè)控制（SSR）通信，在提升隔離效率的同時(shí)增強(qiáng)了電源的抗噪性。此外，這款I(lǐng)C具備獨(dú)特的次級(jí)側(cè)實(shí)現(xiàn)的零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）技術(shù)，不需要傳統(tǒng)的有源鉗位線(xiàn)路，從而幾乎完全消除開(kāi)關(guān)損耗，大幅度提高了在高母線(xiàn)電壓應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率。

PI在兩年內(nèi)氮化鎵器件創(chuàng)下了三項(xiàng)技術(shù)新高，從950V、1250V到今天的1700V，這一切離不開(kāi)該公司的D-mode（Depletion-mode，耗盡型）氮化鎵結(jié)構(gòu)。不同于市面上常見(jiàn)的E-mode（增強(qiáng)型）氮化鎵器件，D-mode結(jié)構(gòu)，具備天然的常通特性。為了確保開(kāi)關(guān)在未加信號(hào)時(shí)能夠保持?jǐn)嚅_(kāi)的安全狀態(tài)，PI在D-mode器件下串聯(lián)了一個(gè)小型MOSFET，形成級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。這一“共源共柵”架構(gòu)讓D-mode氮化鎵在實(shí)現(xiàn)更高電壓時(shí)更加穩(wěn)定可靠。現(xiàn)有的MOSFET驅(qū)動(dòng)和保護(hù)技術(shù)為這一架構(gòu)提供了成熟的技術(shù)基礎(chǔ)，使PI得以克服氮化鎵器件在超高電壓下的漏電流挑戰(zhàn)。通過(guò)采用D-mode架構(gòu)，突破了E-mode的設(shè)計(jì)限制，在耐壓能力、架構(gòu)簡(jiǎn)化和穩(wěn)定性方面實(shí)現(xiàn)了顯著領(lǐng)先。市場(chǎng)先行者：開(kāi)拓1700V氮化鎵的廣闊應(yīng)用據(jù)Yole Group市場(chǎng)分析，氮化鎵技術(shù)將在未來(lái)5年內(nèi)迅速擴(kuò)展至工業(yè)、能源和汽車(chē)等多元領(lǐng)域，而1700V級(jí)別的器件將成為高壓電源設(shè)計(jì)的優(yōu)選。憑借其在1700V氮化鎵領(lǐng)域的率先布局，PI為行業(yè)提供了一個(gè)可靠且高效的選擇，不僅滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，還將進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵在高壓電源應(yīng)用中的普及。且這種新型器件有望取代價(jià)格昂貴的碳化硅(SiC)晶體管。 突破傳統(tǒng)方案?jìng)鹘y(tǒng)方法應(yīng)對(duì)更高母線(xiàn)電壓時(shí)，通常采用初級(jí)功率開(kāi)關(guān)疊加的方式（Stack FET方法），即在單個(gè)功率開(kāi)關(guān)耐壓不足時(shí)，通過(guò)串聯(lián)兩個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)提升耐壓能力。雖然這種方法可以滿(mǎn)足較高的母線(xiàn)電壓需求，但由于兩個(gè)開(kāi)關(guān)串聯(lián)的結(jié)構(gòu)，其效率較低，尤其是在母線(xiàn)電壓較高的情況下。例如，當(dāng)母線(xiàn)電壓達(dá)到900V時(shí)，30W的Stack FET電路效率僅為82%。相比之下，采用單個(gè)1700V的開(kāi)關(guān)不僅能提高母線(xiàn)電壓的承受能力，還能顯著提升效率至90%以上，損耗減少了44%，電路結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)化?，F(xiàn)有的高壓解決方案（Stack FET電路架構(gòu)），通常由一個(gè)750V的功率開(kāi)關(guān)與另一個(gè)開(kāi)關(guān)串聯(lián)，從而耐受1000V的母線(xiàn)電壓。這種開(kāi)關(guān)管疊加的方式也無(wú)法實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通，而新推出的解決方案，如RDR-1053 demo板，具備60W雙路輸出，最大母線(xiàn)電壓可達(dá)1000V DC，效率也提升至90%以上。

RDR-1053 demo參考板

憑借1700V InnoMux-2氮化鎵開(kāi)關(guān)IC，PI在全球市場(chǎng)樹(shù)立了新的技術(shù)標(biāo)桿。這一產(chǎn)品不僅為高壓氮化鎵器件開(kāi)辟了新天地，更展示了氮化鎵在高壓、高效電源管理中的潛力。作為目前唯一達(dá)到這一耐壓等級(jí)的氮化鎵器件，InnoMux-2為高壓應(yīng)用場(chǎng)景提供了嶄新選擇，鞏固了Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations在高壓功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。當(dāng)然，PI的技術(shù)不止于此，他們還會(huì)向著更高的電壓領(lǐng)域邁進(jìn)，讓我們期待PI帶給我們更大的驚喜！