【Kaiyun·開云，新聞】臺(tái)積電版的驍龍8+確實(shí)令三星陷入了個(gè)不小的窘境，不過，作為志在“2030年前，成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一”的三星，日前終于亮出首個(gè)3nm工藝制造的12英寸晶圓，并計(jì)劃在今年Q2季度量產(chǎn)。

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　　據(jù)三星透露，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

　　對三星來說，3nm節(jié)點(diǎn)是他們押注芯片工藝趕超臺(tái)積電的關(guān)鍵，三星的3nm節(jié)點(diǎn)啟用GAA技術(shù)，這是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

　　另一方面，據(jù)此前業(yè)界曝光的信息：臺(tái)積電將于今年下半年小規(guī)模試產(chǎn)，明年才會(huì)進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。所以，憑借絕對的時(shí)間進(jìn)度，雖然廠商們或許會(huì)顧慮三星良品率不行等負(fù)面?zhèn)髀?，?nm工藝GAA技術(shù)的絕對性能提升還是為三星帶來了極大的優(yōu)勢。

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